• 欧洲最大的功率半导体展会将于6月9日至11日在德国纽伦堡举行
• 展示碳化硅和氮化镓领域的最新进展，凸显其功率半导体能力

韩国首尔2026年4月29日 /美通社/ -- 领先的8英寸纯晶圆代工厂DB HiTek宣布，该公司将参加欧洲功率半导体领域顶级展会——2026年德国纽伦堡电力电子系统及元器件展览会(PCIM Europe)。该展会将于（当地时间）6月9日至11日在德国纽伦堡举行，此次参展标志着该公司持续拓展其在欧洲市场的业务版图。

在2025年PCIM展会上成功首秀后——该公司在2025年展会上与数十家客户进行了面对面交流，探讨了工艺技术及合作机会，DB HiTek现在乘势而上。凭借去年展位超1000人次的参观量以及持续推进的商务洽谈，该公司预计通过深化合作伙伴关系，在今年让这些互动转化为实实在在的商业成果。

在今年的展会上，DB HiTek将展示其新一代碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)工艺的研发进展。该公司还将重点推介其行业领先的BCDMOS（双极-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体）技术，该技术是其电源管理产品组合的核心优势。目前，该公司还安排了与全球客户的密集会晤日程，这彰显了双方合作关系的持续深化拓展。

市场研究机构Yole Développement的数据表明，全球碳化硅和氮化镓功率半导体市场将迎来快速增长。碳化硅市场规模预计将从2026年的约48亿美元增至2030年的104亿美元，年均复合增长率(CAGR)达21%；同期，氮化镓市场规模预计将从9亿美元扩大至29亿美元，年均复合增长率高达33%。

DB HiTek于2025年12月启动了碳化硅和氮化镓工艺的多项目晶圆(MPW)流片，为十多种客户产品生产了样品。这些样品在2026年3月至4月间完成交付。目前客户正在进行评估，相关反馈将被纳入最终工艺验证环节。DB HiTek计划于2027年正式启动全面规模化量产。

目前，DB HiTek与约400家客户保持着规模化量产合作关系，业务重心主要集中在其旗舰级功率半导体产品领域。此外，该公司还利用专业图像传感器技术，与广泛的客户群体开展合作，涵盖X射线、全域快门(Global Shutter)及单光子雪崩二极管(SPAD)等技术。随着工业和汽车级产品需求持续增长，DB HiTek的产品应用结构正日益向这两大领域倾斜。

- 助力人工智能数据中心、机器人等领域实现高效化与小型化的关键技术
- 专属氮化镓多项目晶圆项目计划于10月底推出
- 将BCD工艺技术优势拓展至氮化镓、碳化硅等化合物半导体领域

韩国首尔2025年9月11日 /美通社/ -- 全球领先的8英寸特色晶圆代工厂DB HiTek今日宣布，其下一代功率半导体平台 -- 650V增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)工艺开发已进入最终阶段。该公司还将于10月底推出专属氮化镓多项目晶圆(MPW)项目。

与传统硅基功率器件相比，氮化镓半导体在高压、高频及高温工作环境下具备卓越性能，功率效率出众。特别是650V增强型氮化镓HEMT，凭借其高速开关性能与稳健的运行稳定性，成为电动汽车充电设施、超大规模数据中心电源转换系统及先进5G网络设备的理想选择。

早在2022年化合物半导体市场初现雏形时，DB HiTek便将氮化镓与碳化硅确立为核心增长引擎，持续加大工艺研发投入。公司发言人表示："DB HiTek凭借开发全球首款0.18微米BCDMOS工艺等成就，已在硅基功率半导体领域获得国际认可。通过新增氮化镓工艺能力，我们将以更广泛的技术组合增强市场竞争力。"

完成650V氮化镓HEMT工艺开发后，DB HiTek计划在2026年底前推出200V氮化镓工艺及针对集成电路优化的650V氮化镓工艺。未来公司还将根据市场需求和客户要求，将氮化镓平台拓展至更广泛的电压范围。

为支持这些举措，DB HiTek正在扩建位于韩国忠清北道的Fab2洁净室设施。此次扩建预计每月新增约3.5万片8英寸晶圆产能，支持氮化镓、BCDMOS和碳化硅工艺的生产。扩建完成后，DB HiTek的晶圆月总产能将提升23%，从15.4万片增至19万片。

与此同时，DB HiTek将参加于9月15日至18日在釜山BEXCO举行的2025年国际碳化硅及相关材料会议（The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials，简称"ICSCRM"）。在此次全球行业论坛上，DB HiTek将重点展示碳化硅工艺开发进展，同时展示其氮化镓和BCDMOS技术，与客户及行业领袖开展深度交流。

…… 德国最大的功率半导体展会于纽伦堡举行（5月6日至8日）
…… 分享模拟与电源、专用CIS、SiC和GaN技术的最新进展

韩国首尔2025年4月7日 /美通社/ -- 领先的8英寸晶圆代工企业DB HiTek将参加于当地时间5月6日至5月8日在德国纽伦堡举行的2025年德国纽伦堡电力电子系统及元器件展览会（简称"PCIM 2025"），这是欧洲最大的功率半导体展会，DB HiTek希望借此扩大其在欧洲市场的影响力。

DB HiTek计划在展会上展示其世界领先的BCDMOS、专用CIS以及下一代功率半导体碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的最新技术进展。特别值得一提的是，DB HiTek一直积极开发的作为未来关键增长驱动力的SiC和GaN功率半导体工艺，将在此次活动中重点展出。

今年2月，DB HiTek通过完全自主内部加工，确定了其8英寸SiC晶圆的基本特性。该公司目标是在今年全年提高良率和可靠性，并计划在2025年底前向客户提供该工艺。

此外，DB HiTek已成功开发出具有650V HEMT（高电子迁移率晶体管）特性的8英寸GaN工艺，并计划在今年内完成可靠性验证。该公司宣布将于10月推出专用的GaN多项目晶圆(MPW)服务，积极支持客户的产品评估。

根据市场研究机构Yole Développement的数据，全球SiC和GaN功率半导体市场预计将从2024年的36亿美元增长到2027年的76亿美元，年复合增长率高达27.6%。

关于参加PCIM 2025，DB HiTek表示："此次展会将为我们提供一个契机，展示我们在支持无晶圆厂客户以及与欧洲市场的全球客户合作方面已获认可的优势。"

DB HiTek已确立了其在8英寸模拟和功率半导体工艺领域的全球领先地位。然而，与其他地区相比，其在欧洲的客户群体相对较小。该公司希望利用此次展会，通过获取新客户并加强与现有客户的合作，来扩大其在不断增长的欧洲市场的业务版图。

目前，DB HiTek正在为400家公司批量生产芯片，模拟和电源半导体的8英寸晶圆累计出货量已达600万片。公司还掌握了包括X射线传感器、全局快门和SPAD（单光子雪崩二极管）在内的专用CIS工艺技术，并正与多个合作伙伴积极投入批量生产。其半导体应用涵盖移动、消费和工业领域，近年来汽车芯片的比重也在不断增加。

韩国首尔2024年6月3日 /美通社/ -- 韩国领先的专业晶圆代工厂DB HiTek正在加强其在汽车、工业、机器人和医疗领域应用广泛的全域快门和单光子雪崩二极管(SPAD)工艺技术，以拓展其专业图像传感器业务。

全域快门是一种传感器，可捕捉快速移动物体的图像而不会失真。机器视觉、汽车、无人机、机器人和医疗设备等多个领域对全域快门的需求正在迅速增长，预计2022年至2029年的年均市场增长率将达到16%。

DB HiTek的7 Tr电荷区全域快门采用光屏蔽和光导技术，在5.6 um像素下实现了PLS≥35,000，并支持各种尺寸，最小可达2.8 um像素（PLS≥10,000）。

寄生光敏度(PLS)是一个表示光敏感性的概念，PLS达到10000或更高时表明快门效率水平高得足以实现99.99%的光探测率（噪声发生率低于万分之一）。

DB HiTek的6 Tr电荷区全域快门可确保在2.8 μm像素、60C的条件下，PLS ≥10,000，存储暗电流≤20e/s。这项工艺预计将于今年年底完成，并提供给客户。

SPAD是一种超高灵敏度三维图像传感器，可检测到粒子级的微弱光信号。它精度高，可进行远距离测量，是未来实现自动驾驶汽车、AR/VR设备、机器人和智能手机等先进技术的关键部件。

DB HiTek的第二代SPAD工艺在BSI结构中采用了背面散射技术(BST)和背面深沟槽隔离技术(BDTI)，在波长为940 nm时，光子探测概率为15.8%，达到了先进的技术水平。此外，它还实现了相当于0.69 cps/um²的暗电流速率（DCR）性能，相当于典型CIS的暗电流，从而提高了质量。

在升级版全域快门和第二代SPAD工艺上午基础上，DB HiTek计划积极支持无晶圆厂客户拓展专业图像传感器业务。

DB HiTek的一位主管表示："目前，我们公司正与美国、欧洲、中国、日本等地区的全球领先公司合作开发产品。"他补充说："我们计划通过提供定制工艺、用于像素开发模拟的TDK以及可以节省顾客费用的多层掩膜(MLM)等服务，来加强对客户的支持。"

与此同时，DB HiTek最近通过与欧洲一家领先的医疗传感器专业公司合作成功开发产品，拓展了X射线CIS业务。先进的质量和良率特性得到了客户的积极响应。公司将在继医疗领域之后，把业务扩展到制造领域。

关于DB HiTek

DB HiTek Co., Ltd.总部位于韩国，是世界领先的专业晶圆代工厂，提供广泛的支持服务和强大的具有竞争力的工艺技术组合，包括模拟/电源(BCDMOS)、CMOS图像传感器(CIS)、混合信号、高压CMOS、RF HRS/SOI CMOS、超结MOSFET技术。欲了解更多信息，请访问www.dbhitek.com。

韩国首尔2023年10月31日 /美通社/ -- 最近，8英寸晶圆代工厂DB HITEK正在升级超高压（UHV）电力半导体工艺技术，并正式推进相关业务。

超高压电力半导体工艺技术的应用领域广泛，包括家电、汽车、通信、工业等，支持设计和制造用于驱动电机的 Gate Driver IC。Gate Driver IC市场占电力半导体IC市场的8%，预计自2022年至2027年年平均增长率达109%，需求有望大幅增加。

DB HITEK采用了以具竞争优势的电力半导体技术为基础，拓展超高压电力半导体业务，从而提升竞争力的战略。

通过此次工艺技术升级，DB HITEK将创造能够在Gate Driver IC中同时使用Level-Shifter绝缘方式和Galvanic绝缘方式的环境。由此，客户们可以发挥芯片便于设计的Level-Shifter和高压操作稳定性较高的Galvanic绝缘的各自优势，并且该工艺的应用范围也有望从现有的家电领域扩展至汽车、太阳能领域。

今年5月，DB HITEK首度推出了可以应用于系统空调等大功率压缩机，且采用宽电压，便于设计的900V级Level-Shifter。此外，实现了原本安装于芯片外部的Bootstrap Diode内置自主研发了缩小体积的技术，并申请了专利，创造了不同于其他代工厂的Gate Driver IC设计环境。

DB HITEK表示，未来将确保可在矽电半导体中实现的全区间工艺技术， 并提供适用于各领域的最佳Gate Driver设计环境。

具体来说，DB HITEK计划于2024年1月将在Gate Driver IC市场中占最大比重10%的家电领域提供最佳600V工艺，并于年内依次确保用于电动滑板车及电动踏板车的200V工艺和用于纺织机及工规用1200V工艺，提升超高压电力半导体的竞争力。

韩国首尔2023年3月9日 /美通社/ -- 在功率半导体需求的推动下，DB HiTek上个月的开工率上升至80%左右。这与业界对代工厂开工率将下降至60%的担忧相距甚远。去年上半年，尽管Fab处于满负荷状态，但新开发件数仍持续增加，这提升了客户信赖度并对近期需求恢复起到了积极作用。

从移动设备、家电到汽车产业，功率半导体的应用领域非常广，以多品种少量生产为特征，与其他产品群相比，可在发生经济波动时保持稳定，经济回升时能够更快作出反应并趋于上升。

其中，DB HiTek一直以比移动设备需求更稳定且附加价值更高的汽车产业领域为中心，致力于开发适于客户的特色产品，这有助于维持稳定的开工率。

DB HiTek开始关注功率半导体领域是在21世纪00年代中期。因为据判断，与TSMC、UMC一度占领优势的普通逻辑工艺相比，虽然市场规模较小，但发展性和附加价值较高，一旦具备技术竞争力，就能维持长期的市场支配力。

当时韩国国内没有技术基础，DB HiTek经过长期试错，于2008年开发出业界最早的0.18微米级BCDMOS（复合电压元件）工艺，由此开始在技术方面领先一步。之后，DB HiTek的功率半导体客户从2010年的40多个增长至约240个，新产品开发件数也从每年200件增长至约600件，增长了近3倍。

快速增长得益于DB HiTek的优秀技术竞争力与最近的环保型高电压、高电力功率半导体产品市场需求的增加相吻合。

DB HiTek可最大限度地降低功率半导体的电阻值，将单位面积的电流量最大化，从而将芯片尺寸最小化，拥有的电压域也非常广，从5V到900V，以此扩展系列产品。特别是顺应汽车产业用产品的要求电压上升的趋势，在致力于新工艺及产品开发的同时, 同步进行设备投资以扩大高电压功率半导体产能。

另外，作为最适合多品种少量功率半导体的代工厂之一，虽然每年管理2000多个产品生产，但根据客户评价，不良率仅为先进公司水平的一半，以业界一流技术力为傲。

目前，DB HiTek在中国大陆IC设计公司中的地位与TSMC相提并论。去年在半导体不足的情况下，也稳定供应了客户所需货量，并积极支持新产品开发，直至最近开发件数还在增加。

另外，据市场调查机构OMDIA预测，功率半导体市场规模将从2022年的313亿美元扩大至2026年的392亿美元，年均增长约6%。

韩国首尔2023年1月31日 /美通社/ -- DB HiTek通过专门针对全局快门和单光子雪崩二极管(SPAD)的代工工艺技术，开始拓展高附加值的专业图像传感器业务，备受汽车、机器人等多个行业的关注。

基于安全的工艺技术，该公司计划通过扩展进入新的高增长领域，如工业机器视觉、自动驾驶汽车和增强现实技术(AR)，来提高盈利能力。

全局快门是一种传感器，可以捕捉快速移动物体的图像而不失真,积极应用于机器视觉（一种使计算设备能够检查、评估和识别静止或移动图像的技术）。机器视觉最近已经成为"智能工厂的眼睛"，其应用范围正迅速扩展到机器人、无人机和汽车领域。

DB HiTek的全局快门采用遮光罩和导光技术防止光信号失真，拥有99.997%（噪声发生不到1/10000）的全局快门效率(GSE)性能，并且能支持最小至2.8微米的多种像素尺寸。

此外，SPAD是一种超灵敏的3D图像传感器，可以检测光子（光粒子）水平的弱光信号，基于其高精度和远程测量的优势，是自动驾驶汽车激光雷达（激光探测和测距）的核心部件。最近，它通过在高端智能手机上支持增强现实功能而迅速应用，未来其作用将广泛扩展到机器人和无人机等新一代应用领域。

激光雷达，也被称为飞行时间(ToF)传感器，是一种高精度部件，能够识别从传感器发射光线到物体反射回光线所需的飞行时间，从而测量出传感器与物体之间的距离。

同时，根据市场研究机构Markets and Markets，激光雷达市场预计将继续保持22%的年均增长，从2021年的13亿美元增长到2026年的34亿美元。

DB HiTek的SPAD工艺确保了基于940nm波长的FSI（前照式）光子探测概率为3.2%，BSI（背照式）为7%。此外，它计划未来通过BDTI（背照式深沟槽隔离，通过在像素之间形成绝缘部分，最小化光损耗，提高光学性能）工艺将光子探测概率提升至15%，从而拥有业内最大的竞争力。

DB HiTek营销副总裁Cheonman Shim表示："我们专注于基于全局快门和SPAD工艺与全球领先的业内公司进行产品开发，目标是在年内实现量产。我们计划通过提供最佳的复杂工艺和工艺设计套件(PDK)来加强对客户在正确的时间进入市场的支持。"

关于DB HiTek 

DB HiTek总部位于韩国，是世界领先的专业代工公司，拥有广泛的支持服务，以及强大的竞争工艺技术组合，包括模拟/电源(BCDMOS)、CMOS图像传感器(CIS)、混合信号、高压CMOS、射频HRS/SOI CMOS、超级结MOSFET技术。更多信息，请访问www.dbhitek.com。